台积电副总经理张晓强日前透露，2nm制程工艺N2研发顺利，目前256Mb SRAM芯片良品率已经可以达到50%，研发目标已经完成80%以上，如果后续研发顺利将会能够按照之前预定的目标在2025年实现量产。
据了解，台积电2nm制程工艺将会放弃此前的FinFET（鳍式场效应晶体管）转向GAA（环绕栅极晶体管），这将会使芯片在晶体管密度仅提升10-20%的同时，做到在相同功耗下速度提高10-15%或在相同速度下功耗降低25-30%。目前已有大量消息显示台积电已经在台湾竹科基地建立试产生产线，并积极筹划下一代芯片生产基地建设。
此外，有业内人士称2nm制程工艺芯片的报价将会直逼2.5万美元（折合人民币约18.1万元），不过对比其在技术上的进步而言价格并不算太过离谱，目前尽管整体半导体行业整体状态目前略显低迷，但台积电仍然保持强势的发展势头。如果台积电在2nm制程工艺的研发方面发展顺利，那么对于三星、英特尔等同行而言恐怕“弯道超车”的希望更加渺茫。
